特長 | ■ダイヤモンド合成の研究・開発に ■マイクロ波プラズマ処理の研究・開発に ■マイクロ波電源:周波数2.45GHz、容量1.5kW |
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用途 | CVDダイヤモンド合成の研究・開発に ! マイクロ波プラズマ処理の研究・開発に! ダイヤモンド基板、ダイヤモンドウインドー、ダイヤモンドヒートシンク |
目的 | 本装置は、マイクロ波プラズマを用いた表面処理やダイヤモンド膜合成などに用います。 |
【カスタマイズ対応品:ご要望に合わせた様々なカタチをご提案します。】
カタログ(PDF)反応室 | ジャケット水冷式円筒型真空槽 材質 SUS304 サイズ ф140 x H200 マイクロ波導入窓 ф160、石英ガラス製 覗き窓 ф14 x 2個、石英ガラス製 基板ホルダー 水冷銅製シャフト構造 試料台 ф1インチとф2インチ、モリブデン製 各1個 基板交換 反応室底部昇降式 |
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ガス導入系 | マスフローコントローラ 2系列 (3系列 ; メタン、水素、窒素など) |
真空計 | 隔膜真空計 F-tron真空計、133~0.1 kPa ピラニー真空計 デジタル表示器、100~0.01 kPa |
排気系 | 油回転ポンプ(ターボモレキュラーポンプ)240 L/min、オイルミストトラップ付き 排気速度調整 手動 (または 自動圧力調整) |
マイクロ波電源 | 周波数 2.45 GHz 容量 0.5~3 kW (5 kW) 導波管一式 パワーメータ など 一式 整合器 4Eチューナ型自動整合器 (手動E-Hチューナ) モード変換器 TE10→TM01 に変換 |
その他のオプション品 | 計装ソフトによる集中パソコン制御 ; WebAccess使用 放射温度計; 600~3000 ℃、ファイバー式 プラズマモニター ; 656nm(原子状水素発光)、515nm(C2発光)を常時モニター |
ユーティリティ | 設置スペース : W770xD620xH1400 (マイクロ波電源除く本体部) 電気、冷却水、バルブ駆動圧空(ボンベ供給可)、排気ダクト 原料ガス供給設備 (ガスボンベなど) |
*外観・仕様については改善のため予告なく変更することがあります。